NTTが世界に先駆けて半導体化に成功した窒化アルミニウム（AlN）（※1）の半導体技術を発展させ、AlN系高周波トランジスタの動作に世界で初めて成功しました。 これまでAlN系トランジスタの高周波信号増幅を妨げていた高い接触抵抗とチャネル抵抗の課題を ...

自らの工場での半導体製造は手放したものの、半導体の研究開発領域ではimecと双璧をなし、世界最先端の取り組みを今も継続して行っているIBM。そんな同社が2025年12月17日～19日にかけて東京ビッグサイトにて開催されている「SEMICON Japan 2025」にてブース出展し、自社のそうした最新研究の説明などを行っている。

NTT株式会社は12月9日、窒化アルミニウム（AlN：「l」は小文字の「L」）を使用した「AlN系高周波トランジスタ」により、無線通信の高周波信号の増幅に世界で初めて成功したと発表した。

半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM(International Electron Devices ...

【プレスリリース】発表日:2025年12月09日世界初、ポスト5Gに向けたAlN系高周波トランジスタの動作に成功〜次世代半導体AlNの応用領域を電力変換から無線通信へ拡大〜■発表のポイント : ...

キオクシアは12月12日、高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術として高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術を開発したことを発表した。

「TRHPA-KIT01」に活かされた「電源供給能力が高く、低ひずみなヘッドホンアンプ用アナログ回路」の研究開発は2010年頃のこと。コア技術はある程度確立できたものの製品化にはまだ時間がかかる段階だった。

株式会社MUSINのプレスリリース（2025年12月12日 11時00分）【iBasso Audio】iBasso史上初のデスクトップヘッドホンアンプ製品。窒化ガリウムトランジスタを採用した、ヘッドホンアンプ『Kunlun-クンルン-』を12月19日 ...

MUSINは、同社が取り扱うiBasso（アイバッソ）ブランドより、窒化ガリウムトランジスタを採用したデスクトップヘッドホンアンプ「Kunlun（クンルン）」を12月19日に発売する。価格は103,950円（税込）。本日12月12日より予約受付を開始 ...

半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM(International Electron Devices ...