・ 独自技術で構成された、最先端半導体製造装置を有する共用パイロットラインを国内で初めて構築 共用可能なプロセスで、最先端ロジック半導体で使用されるゲートオールアラウンド ...

自らの工場での半導体製造は手放したものの、半導体の研究開発領域ではimecと双璧をなし、世界最先端の取り組みを今も継続して行っているIBM。そんな同社が2025年12月17日～19日にかけて東京ビッグサイトにて開催されている「SEMICON Japan 2025」にてブース出展し、自社のそうした最新研究の説明などを行っている。

発表のポイント： NTTが世界に先駆けて半導体化に成功した窒化アルミニウム（AlN）（※1）の半導体技術を発展させ、AlN系高周波トランジスタの動作に世界で初めて成功しました。

300 mmウエハーの共用パイロットラインで新規装置・材料の技術検証が可能に 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (以下「産総研」という) 先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発 ...

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (以下「産総研」という) 先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構）助成事業の元、国内半導体製造 ...

産総研が確立した標準的なトランジスタ試作条件をもとに、国内企業や大学などが独自のプロセス技術開発を行い本パイロットラインにおける試作を実施することにより、独自プロセスを適用した最先端トランジスタ構造の性能面での良否を評価することが可能となります（概要図）。